CPU：28nm HPm工藝Krait 400
驍龍800 CPU單元采用了最新的Krait 400架構(gòu)，與驍龍600（Krait 300）的主要區(qū)別在于，驍龍800采用了目前最先進(jìn)的28nm HPm(節(jié)能型高性能移動技術(shù)）制造工藝。更先進(jìn)的制造工藝使得驍龍800處理器的主頻飆升至2.3GHz，同時進(jìn)一步改進(jìn)了內(nèi)存控制器，采用了業(yè)界領(lǐng)先的800MHz 2×32bit LPDDR3內(nèi)存，達(dá)到了12.8GBps內(nèi)存帶寬，使它的內(nèi)存延遲更小。驍龍800相比驍龍S4 Pro性能提升75%。
驍龍800處理器
同為28nm級，那么HPm工藝有什么不同呢？28nm HPm是專為高性能、高集成度SoC打造的新工藝。針對移動計算設(shè)備進(jìn)行了專門優(yōu)化，可用于生產(chǎn)應(yīng)用處理器、整合基帶處理器等高端芯片，可以讓主頻達(dá)到2.3GHz的同時，每個核心的功耗不超過750mw，大大降低了功耗。
而此前發(fā)布的NVIDIA Tegra 4使用的是臺積電28nm HPL工藝，28nm HPL更注重漏電率與性能之間的平衡，而不是追求最高性能。由此可見，采用28nm HPm的驍龍800處理器將會在性能方面比Tegra 4更具優(yōu)勢。
驍龍800系統(tǒng)分布
另外，驍龍系列處理器，一直采用的是aSMP（異步對稱多核處理）技術(shù)，驍龍800也不例外，aSMP可以獨立限制CPU每個內(nèi)核的頻率。處理任務(wù)時需要用到的核就打開工作，其余核關(guān)閉“待命”，這樣就實現(xiàn)了高性能、低功耗，使得驍龍800處理器在保持超強(qiáng)性能的同時，延長了電池的續(xù)航時間。
