二、未來(lái)發(fā)展新趨勢(shì):3D NAND
什么是3D NAND？
3D NAND的概念其實(shí)不難理解：其原理簡(jiǎn)單說(shuō)來(lái)就是“堆疊”，目前由英特爾和鎂光研究出了一種將它們堆疊最高32層的方法。這么一來(lái)，一個(gè)MLC的閃存芯片上就可以增加最高32GB的存儲(chǔ)空間，如果是單個(gè)TLC閃存芯片則可增加48GB。就目前來(lái)說(shuō)3D NAND閃存屬于一種新興的閃存類型，通過(guò)把存儲(chǔ)顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。
3D NAND
3D NAND技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)
3D NAND的亮點(diǎn)在于它采用的是立體、垂直堆疊的方式來(lái)提高單顆粒中包含芯片的數(shù)量，堆疊層數(shù)的提高最終會(huì)帶來(lái)容量的成倍提升，極大的提高產(chǎn)品的使用壽命；3D NAND可以提供更高的指令運(yùn)行效率，使產(chǎn)品的運(yùn)行性能得以提升；簡(jiǎn)化了編程階段，有效減少了產(chǎn)品待機(jī)和工作時(shí)的能耗。
3D NAND
目前，三星、SK Hynix、東芝/閃迪、Intel/鎂光這幾大NAND豪門都已經(jīng)涉足3D NAND閃存了，而武漢新芯科技主導(dǎo)的國(guó)家級(jí)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)基地，更是國(guó)內(nèi)首家新建的12寸晶圓廠，投產(chǎn)后直接生產(chǎn)3D NAND閃存，可以說(shuō)未來(lái)3D NAND就是突破移動(dòng)設(shè)備ROM容量的必備技術(shù)。
總結(jié)：
科技在進(jìn)步，我們永遠(yuǎn)無(wú)法預(yù)知未來(lái)，未來(lái)的手機(jī)又會(huì)發(fā)展成啥樣呢？目前，小編還是建議大家購(gòu)買64GB、128GB的手機(jī)更為合適，夠用就好。考慮到用戶需求的問(wèn)題，相信之后很長(zhǎng)一段時(shí)間也不會(huì)出超過(guò)256GB存儲(chǔ)規(guī)格的手機(jī)。
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