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三星開發高帶寬高容量移動存儲芯片 珉  eNet  2005-1-24
三星成功開發高帶寬高容量移動存儲芯片
上周，三星電子宣布成功開發出世界上第一片512Mb DRAM手機存儲芯片，支持3G手機高品質的3D圖形和流媒體處理技術，支持32位運算，運行和傳輸速度高達每秒333Mb， 且支持雙512Mb芯片同時運行，1G的存儲容量為手機存儲技術帶來質的飛躍。 三星的這款高帶寬芯片工作電壓僅為1.8伏，將支持DDR（double data rate）和SDRAM（synchronous DRAM）運行模式和盡可能多的數據傳輸系統。三星還準備令這款芯片支持其采用多芯片模塊制造技術（MCPs）和系統級封裝技術(SIP)的移動設備。 根據調查機構的預測，2005年擁有流視頻技術的3G手機銷售量有望比2004年提高67%，2008年將達到2.8億（280 million）部。而全球手機銷售量到2008年將達到7.9億部。這就預示著三星這款512M DRAM芯片擁有廣闊的市場空間。 這款芯片將于2005年下半年投產。屆時將同時提供支持x16 和 x32通道的產品。 |
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