去年，高通發(fā)布新旗艦處理器驍龍835，隨后又在今年初的CES大展上公布了它的技術(shù)細節(jié)。現(xiàn)如今，驍龍835終于要在國內(nèi)正式亮相了。
高通今天宣布，將于3月22日下午在北京召開驍龍835亞洲首秀活動，屆時將詳細介紹驍龍835的一些技術(shù)細節(jié)，據(jù)說還有會跑分展示，令人非常期待。
驍龍835采用10nm工藝打造，集成了八顆高通自主研發(fā)的Kryo 280處理器核心，四顆大核心頻率為2.45GHz，四核小核心頻率則是1.9GHz;內(nèi)置的GPU為Adreno 540，DSP省級到Hexagon 682。
此外，驍龍835還整合了X16 LTE基帶，這讓它成為了全球首款下行速率達到千兆級別的SoC。同時，驍龍835還支持QC 4.0快速充電，相比QC 3.0來說效率可提升30%，速度能夠提升20%，而且發(fā)熱量更低。通過10nm工藝加持，高通表示驍龍835的核心面積減少了35%，而且功耗相比驍龍821降低25%。
三星Galaxy S8、小米6等旗艦機均已確定會搭載驍龍835處理器，前者本月底會正式發(fā)布，后者的發(fā)布時間未定。
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