上周，高通與三星共同展示了下一代頂級旗艦處理器——驍龍835，同時表示將會率先采用三星10nm FinFET工藝制造，目前已投產。不過并沒有透露有關該芯片的具體規(guī)格等更多信息。現(xiàn)在有網(wǎng)友指出：驍龍835將會采用自主架構、八核設計，另外也有網(wǎng)友爆料稱驍龍835的主頻將會高達3.0GHz。
根據(jù)微博網(wǎng)友@草包科技 微博中透露的消息，驍龍835的編號為MSM8998(驍龍820/821 MSM8996/MSM8996 Pro)，將會采用升級版64位自主架構Kyro 200，采用四大+四小的八核設計，Kyro架構也是從驍龍820開始啟用的自主架構。有關于芯片的主頻部分，微博網(wǎng)友@i冰宇宙 表示驍龍835的主頻將會高達令人震驚的3.0GHz。
其他方面，驍龍835集成了Adreno 540 GPU，基帶則是LTE X16，最高支持LTE Cat.16，理論下載速度高達1Gbps，上傳則能達到150Mbps。另外，@草包科技 微博中的表格顯示，驍龍835將在2017年第一季度量產，首發(fā)的是三星新旗艦Galaxy S8，明年二月底的MWC 2017大會前發(fā)布，而國產機型將在明年年中跟進。
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