8月10日消息，近日在加州圣克拉拉舉行的閃存峰會(Flash Memory Summit)上，鎂光公布了他們的首款3D NAND閃存芯片。這種閃存芯片在不改變尺寸的情況下能提供更多的儲存空間。據PCWorld報道，鎂光這款3D閃存芯片的容量為32GB，其目標市場為中高端的智能手機。該產品基于新的UFS 2.1標準，市面上的智能手機均未使用這種理論上更快的儲存協議。
鎂光認為智能手機對內存容量的需求越來越高，虛擬現實應用和流媒體都將占用大量的儲存空間。他們表示，在幾年之內智能手機的內存容量可能會達到如今PC的水平，具體來說，大概在2020年就會觸及1TB。不過，這家公司并未透露自家用于移動設備3D閃存芯片的發展路線圖。
與傳統的2D NAND水平排布儲存單元不同，3D NAND使用垂直的方式排布儲存單元，這種方式既能擁有更高的容量，又能讓芯片間的通訊變快。
3D NAND閃存芯片技術并非鎂光獨有，英特爾和三星都已經在SSD上應用了這種技術，相關產品的容量只會越來越大。
