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          08月 10

          鎂光發布3D閃存芯片:手機存儲容量大增

          編輯:匿名 來源:安卓中國
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          8月10日消息,近日在加州圣克拉拉舉行的閃存峰會(Flash Memory Summit)上,鎂光公布了他們的首款3D NAND閃存芯片。這種閃存芯片在不改變尺寸的情況下能提供更多的儲存空間。據PCWorld報道,鎂光這款3D閃存芯片的容量為32GB,其目標市場為中高端的智能手機。該產品基于新的UFS 2.1標準,市面上的智能手機均未使用這種理論上更快的儲存協議。

          鎂光認為智能手機對內存容量的需求越來越高,虛擬現實應用和流媒體都將占用大量的儲存空間。他們表示,在幾年之內智能手機的內存容量可能會達到如今PC的水平,具體來說,大概在2020年就會觸及1TB。不過,這家公司并未透露自家用于移動設備3D閃存芯片的發展路線圖。

          與傳統的2D NAND水平排布儲存單元不同,3D NAND使用垂直的方式排布儲存單元,這種方式既能擁有更高的容量,又能讓芯片間的通訊變快。

          3D NAND閃存芯片技術并非鎂光獨有,英特爾三星都已經在SSD上應用了這種技術,相關產品的容量只會越來越大。

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