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          07月 28

          高通驍龍830曝光 將采用10nm工藝

          編輯:匿名 來源:IT168
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          這兩年,手機芯片開至標榜16/14nm FinFET工藝,現在芯片廠商們爭相蓄力10nm工藝,繼昨天聯發科新十核Helio X30曝光將采用10nm工藝后,根據最新的消息,高通CEO Steve Mollenkopf在接受分析師提問時透露,高通的10nm工藝芯片已經定案,同時開始送樣給客戶。

          雖然Steve Mollenkopf沒有透露明年的這款處理器具體是哪款產品,但很早之前就有消息曝光,高通驍龍830處理器將采用10nm工藝,最大可能支持8GB內存。此外Steve Mollenkopf還透露,高通2017年的10nm訂單都會交給三星,不過也會繼續堅持多個來源的策略,也就是說,明年三星或將全權負責高通10nm芯片的訂單。

          根據之前曝光的信息,驍龍830將采用10nm FinFET制程工藝和Kyro 200架構,搭載Adreno 540、X16基帶,據稱它的下載速度高達980Mbps,并擁有LPDDR4X內存和4K×2K/60fps視頻錄制,將實現性能和功能的雙提升。至于發布時間,那主要取決于客戶產品。目前看明年初是最有可能的,預計將于明年MWC展上發布的三星Galaxy S8將會成為驍龍830的首發機型。

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